INSIHGT TO YIELD OPTIMIZATION

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MEMS
Micro-LED

光学线宽量测

芯片制造在28nm工艺节点以下引入FinFETs三维电晶体结构,FinFETs有着各种各样复杂的三维结构和难以量测的薄膜,结构尺寸常常小于1埃 (0.1纳米)

随着半导体工艺向10纳米以下线宽发展,我们持续研发新一代高性能薄膜量测技术,以帮助客户应对全新工艺控制方面的技术挑战

 

半导体先进制造工艺流程

在半导体薄膜和光学线宽量测领域积累的丰富经验,让我们能够帮助不同工艺节点的客户进行半导体工艺流程的分析和优化、最终提高芯片良率

 

 

OCD光学线宽量测应用于三维特征尺寸量测和复杂轮廓分析,可以提供CD-SEM和AFM所无法提供的资讯,包括Footing、Notch、Undercut与Sidewall Angle等结构细节,同时也能计算出蚀刻深度